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| 基本信息 | 登录收藏 | |||||||||||||||||||||
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期刊名字 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS IEEE ELECTR DEVICE L （此期刊被最新的JCR期刊SCIE收录） LetPub评分 8.2
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声誉 8.7 影响力 7.7 速度 8.7 | |||||||||||||||||||||
| 期刊ISSN | 0741-3106 | 安装APP，查看期刊最新消息
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| E-ISSN | 1558-0563 | |||||||||||||||||||||
| 2025-2026最新IF （数据来源于网友提供） | 注册或登录后，查看IF | |||||||||||||||||||||
| 实时影响因子 | 截止2026年5月06日：4.47 | |||||||||||||||||||||
| 2025-2026自引率 | 10.9%点击查看自引率趋势图 | |||||||||||||||||||||
| 五年IF （数据来源于网友提供） | 4.704数据由网友[宅女4319]收集提供 | |||||||||||||||||||||
| h-index | 135 | |||||||||||||||||||||
| CiteScore （ 2026年6月最新版） |
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| 期刊简介 |
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| 期刊官方网站 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55 | |||||||||||||||||||||
期刊投稿格式模板 VIP专享 |
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| 期刊投稿网址 | http://mc.manuscriptcentral.com/edl | |||||||||||||||||||||
| 该期刊中国学者近期发文 - New | Leakage Current Reduction Strategy for Low-Power Low-Voltage Intrinsically Stretchable Organic Transistor Author: Zhang, Mingxin; Zhao, Haowen; Tong, Yanhong; Sun, Jing; Zhang, Haifeng; Xue, Peng; Liu, Hao; Sun, Xikai; Song, Xiang; Zhao, Xiaoli; Tang, Qingxin; Liu, Yichun Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1189-1192. DOI: 10.1109/LED.2026.3686414 p-NiO Gate-Engineered AlGaN/GaN UV Phototransistor With Enhanced Photogating for Visible-Blind Detection Author: Zhao, Huiqin; Cai, Qing; Guo, Jiarui; Xu, Linling; You, Haifan; Ye, Jiandong; Lu, Hai; Zheng, Youdou; Zhang, Rong; Chen, Dunjun Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1169-1172. DOI: 10.1109/LED.2026.3684512 A Novel Frequency-Tunable Relativistic Magnetron With Angular Tuning Author: Zhao, Bo; Song, Suhang; Deng, Yanlin; Cheng, Renjie; Liu, Sidi; Wang, Yiyun; Li, Hao; Hu, Biao; Wang, Haiyang; Li, Tianming; Chen, Tingxu Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1205-1208. DOI: 10.1109/LED.2026.3685598 Ultralow-Voltage BEOL-Compatible HZO Ferroelectric Memcapacitors for Neuromorphic Computing Author: Zhang, Shiyu; Wu, Yuyuan; Tan, Kejun; Hao, Puqi; Zeng, Binjian; Yang, Qiong; Zheng, Shuaizhi; Peng, Qiangxiang; Zhou, Yichun; Liao, Min Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1113-1116. DOI: 10.1109/LED.2026.3687388 | |||||||||||||||||||||
| 期刊语言要求 | 经LetPub语言功底雄厚的美籍native English speaker精心编辑的稿件，不仅能满足IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的语言要求，还能让IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS编辑和审稿人得到更好的审稿体验，让稿件最大限度地被IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS编辑和审稿人充分理解和公正评估。LetPub的专业SCI论文编辑服务（包括SCI论文英语润色，同行资深专家修改润色，SCI论文专业翻译，SCI论文格式排版，专业学术制图等）帮助作者准备稿件，已助力全球15万+作者顺利发表论文。部分发表范例可查看：服务好评 论文致谢（1篇） 。
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| 是否OA开放访问 | No | |||||||||||||||||||||
| 通讯方式 | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 | |||||||||||||||||||||
| 出版商 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | |||||||||||||||||||||
| 涉及的研究方向 | 工程技术-工程：电子与电气 | |||||||||||||||||||||
| 出版国家或地区 | UNITED STATES | |||||||||||||||||||||
| 出版语言 | English | |||||||||||||||||||||
| 出版周期 | Monthly | |||||||||||||||||||||
| 出版年份 | 1980 | |||||||||||||||||||||
| 年文章数 | 550点击查看年文章数趋势图 | |||||||||||||||||||||
| Gold OA文章占比 | 2.21% | |||||||||||||||||||||
| 研究类文章占比： 文章 ÷（文章 + 综述） | 100.00% | |||||||||||||||||||||
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| SCI期刊收录coverage | Science Citation Index Expanded (SCIE) (2020年1月，原SCI撤销合并入SCIE，统称SCIE) Scopus (CiteScore) | |||||||||||||||||||||
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| 平均审稿速度 | 网友分享经验： 平均1.3个月 | |||||||||||||||||||||
| 平均录用比例 | 网友分享经验： 约25% | |||||||||||||||||||||
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| 中国学者近期发表的论文 | |
| 1. | Leakage Current Reduction Strategy for Low-Power Low-Voltage Intrinsically Stretchable Organic Transistor Author: Zhang, Mingxin; Zhao, Haowen; Tong, Yanhong; Sun, Jing; Zhang, Haifeng; Xue, Peng; Liu, Hao; Sun, Xikai; Song, Xiang; Zhao, Xiaoli; Tang, Qingxin; Liu, Yichun Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1189-1192. DOI: 10.1109/LED.2026.3686414 DOI |
| 2. | p-NiO Gate-Engineered AlGaN/GaN UV Phototransistor With Enhanced Photogating for Visible-Blind Detection Author: Zhao, Huiqin; Cai, Qing; Guo, Jiarui; Xu, Linling; You, Haifan; Ye, Jiandong; Lu, Hai; Zheng, Youdou; Zhang, Rong; Chen, Dunjun Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1169-1172. DOI: 10.1109/LED.2026.3684512 DOI |
| 3. | A Novel Frequency-Tunable Relativistic Magnetron With Angular Tuning Author: Zhao, Bo; Song, Suhang; Deng, Yanlin; Cheng, Renjie; Liu, Sidi; Wang, Yiyun; Li, Hao; Hu, Biao; Wang, Haiyang; Li, Tianming; Chen, Tingxu Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1205-1208. DOI: 10.1109/LED.2026.3685598 DOI |
| 4. | Ultralow-Voltage BEOL-Compatible HZO Ferroelectric Memcapacitors for Neuromorphic Computing Author: Zhang, Shiyu; Wu, Yuyuan; Tan, Kejun; Hao, Puqi; Zeng, Binjian; Yang, Qiong; Zheng, Shuaizhi; Peng, Qiangxiang; Zhou, Yichun; Liao, Min Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1113-1116. DOI: 10.1109/LED.2026.3687388 DOI |
| 5. | A Semi-Floating Gate GaN Memory Cell Author: Yin, Youyi; Li, Teng; Lao, Yunhong; Yang, Junjie; Chang, Hao; Yang, Han; Yang, Xuelin; Wang, Maojun; Cai, Yimao; Shen, Bo; Wei, Jin Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1089-1092. DOI: 10.1109/LED.2026.3686895 DOI |
| 6. | A >2.5 kV, 93 ps GaN Diode Avalanche Shaper With 1.68 GW/cm2 Peak Power Density Author: Yang, Zhiqing; Xiao, Ming; Zhang, Yuhao; Lin, Zihan; Liu, Xi; Dang, Kui; Song, Xiufeng; Zhao, Shenglei; Su, Kai; Ren, Zeyang; Zhang, Jinfeng; Hao, Yue; Zhang, Jincheng Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1085-1088. DOI: 10.1109/LED.2026.3681189 DOI |
| 7. | Dual-Mode PUFs Based on Spin Orbit Torque Devices Enabling Secure Key Switching Between Private and Public Clouds Author: Xu, Yan; Duan, Wei; Qin, Tian; Zhang, Shuai; Guo, Zhe; Wan, Meilin; Song, Min; You, Long Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1217-1220. DOI: 10.1109/LED.2026.3683262 DOI |
| 8. | Striving for High Mobility and Robust Stability in IGZO TFTs Through Strategic Microstructure and Oxygen Vacancy Regulation Author: Wu, Hongfei; Ren, Junyan; Xiong, Yuting; Hong, Ruohao; Xu, Wangying; Liang, Lingyan; Cao, Hongtao Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1145-1148. DOI: 10.1109/LED.2026.3685635 DOI |
| 9. | Memristor-Based CPU Architecture for In-Memory Computing Author: Wang, Pengjin; Yue, Zhentao; Chen, Qingxin; Meng, Jialin; Wang, Tianyu Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1245-1248. DOI: 10.1109/LED.2026.3683728 DOI |
| 10. | Experimental Investigation of a Front-Extraction Superradiance Cherenkov Generator Operating at Low Magnetic Field With Above-Unity Power Conversion Author: Wang, Jiaoyin; Wu, Ping; Xiao, Renzhen; Li, Tianming; Chen, Kun; Wang, Junqing; Liu, Sidi; Duan, Pengfei; Cheng, Renjie Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 6, pp. 1209-1212. DOI: 10.1109/LED.2026.3684627 DOI |
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